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TP0610K-T1-E3中文资料

TP0610K-T1-E3图片

TP0610K-T1-E3外观图

  • 大小:95.2KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: P CH MOSFET, -60V, 185mA, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-185mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:TP0610K
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:185mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.7nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:23pF @ 25V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:TP0610K-T1-E3TR

TP0610K-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-12 05:58:07
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